Home » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна » RN2101MFV(TPL3)

RN2101MFV(TPL3)

Описание :
TRANS PREBIAS PNP 150 МВт VESM
Производители:
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101MFV(TPL3)

Информация продукции

категория
Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна
упаковка
Лента и Reel ( TR)
серия
-
транзистор Тип
PNP - Pre - необъективна
В настоящее время - Collector (Ic ) ( Max)
100 мА
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя ( Max)
50V
Резистор - Base ( R1 ) ( Ом)
4.7k
Резистор - Излучатель Base ( R2 ) ( Ом)
4.7k
DC коэффициент усиления по току (HFE ) ( Min) @ Ic , Vce
30 @ 10 мА , 5В
Vce Насыщенность ( Max) @ IB, IC
300 мВ @ 500μA , 5 мА
В настоящее время - Collector среза ( Max)
500nA
Частота - Переход
250 МГц
Мощность - Максимальная
150mW
Тип установки
для поверхностного монтажа
Упаковка /
SOT -723
Пакет прибора поставщика
VESM

Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели