Home » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна » MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G

Описание :
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Производители:
ON Semiconductor
MMUN2112LT1G

Информация продукции

категория
Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна
упаковка
Digi- Reel®
серия
-
транзистор Тип
PNP - Pre - необъективна
В настоящее время - Collector (Ic ) ( Max)
100 мА
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя ( Max)
50V
Резистор - Base ( R1 ) ( Ом)
22k
Резистор - Излучатель Base ( R2 ) ( Ом)
22k
DC коэффициент усиления по току (HFE ) ( Min) @ Ic , Vce
60 @ 5 мА , 10 В
Vce Насыщенность ( Max) @ IB, IC
250 мВ @ 300μA , 10 мА
В настоящее время - Collector среза ( Max)
500nA
Частота - Переход
-
Мощность - Максимальная
246mW
Тип установки
для поверхностного монтажа
Упаковка /
К - 236-3 , SC- 59 , SOT- 23-3
Пакет прибора поставщика
SOT- 23-3 (ТО- 236 )

Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели