Home » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна » UNR52AFG0L

UNR52AFG0L

Описание :
TRANS PREBIAS NPN 150 МВт SMINI3
Производители:
Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
UNR52AFG0L

Информация продукции

категория
Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна
упаковка
Digi- Reel®
серия
-
транзистор Тип
NPN - Pre - необъективна
В настоящее время - Collector (Ic ) ( Max)
80mA
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя ( Max)
50V
Резистор - Base ( R1 ) ( Ом)
4.7k
Резистор - Излучатель Base ( R2 ) ( Ом)
10k
DC коэффициент усиления по току (HFE ) ( Min) @ Ic , Vce
30 @ 5 мА , 10 В
Vce Насыщенность ( Max) @ IB, IC
250 мВ @ 300μA , 10 мА
В настоящее время - Collector среза ( Max)
500nA
Частота - Переход
150MHz
Мощность - Максимальная
150mW
Тип установки
для поверхностного монтажа
Упаковка /
SC- 85
Пакет прибора поставщика
SMini3 -F2

Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели