Home » Индекс продукции » Дискретные полупроводники » Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна » PDTA114TEF,115

PDTA114TEF,115

Описание :
TRANS PREBIAS PNP 150 МВт SC89
Производители:
NXP Semiconductors
PDTA114TEF,115

Информация продукции

категория
Транзисторы ( BJT ) - Single, Pre - необъективна
упаковка
Лента и Reel ( TR)
серия
-
транзистор Тип
PNP - Pre - необъективна
В настоящее время - Collector (Ic ) ( Max)
100 мА
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя ( Max)
50V
Резистор - Base ( R1 ) ( Ом)
10k
Резистор - Излучатель Base ( R2 ) ( Ом)
-
DC коэффициент усиления по току (HFE ) ( Min) @ Ic , Vce
200 @ 1 мА , 5 В
Vce Насыщенность ( Max) @ IB, IC
150 мВ @ 500μA , 10 мА
В настоящее время - Collector среза ( Max)
1 мкА
Частота - Переход
-
Мощность - Максимальная
150mW
Тип установки
для поверхностного монтажа
Упаковка /
SC -89, SOT -490
Пакет прибора поставщика
SC- 89

Покупатели,которые купили этот товар, также приобрели